深圳市明啟通電子有限公司

我司出售FDN5618P-NL場效應管，誠信經營，品質保證，歡迎訂購。 FDN5618P-NL場效應管產品參數及功能如下： FET類型：P溝道 技術：MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）：60V 電流-連續漏極（Id）（25°C時）：780mA（Ta） 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.7V，4.5V 不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值）：600毫歐@610mA，4.5V 不同Id時的Vgs（th）（最大值）：1.5V@250μA 不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值）：3.6nC@4.45V Vgs（最大值）：±12V 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：97pF@15V 功率耗散（最大值）：540mW（Ta） 工作溫度：-55°C~150°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝 供應商器件封裝：Micro3?/SOT-23 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 產品廣泛應用于消費類產品，如鼠標，監控，藍牙，移動電源 網上價格為系統默認價格，具體價格請咨詢客服！有需要FDN5618P-NL場效應管的可以隨時聯系我們哦！