豪信塑膠材料有限公司

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      [供應]PVDF薄膜生產廠家
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      • 產品產地:
      • 產品品牌:
      • 包裝規格:
      • 產品數量:50000
      • 計量單位:件
      • 產品單價:200
      • 更新日期:2016-03-17 19:15:08
      • 有效期至:2017-03-17
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      PVDF薄膜生產廠家 詳細信息

      聚偏氟乙烯(PVDF)壓電膜是本世紀70年代在日本問世的一種新型高分子壓電材料。到目前為止,世界上只有少數先進國家生產。錦州科信電子材料有限公司以清華大學為技術依托,成功地實現了PVDF壓電膜國產化批量生產。它具有獨特的介電效應、壓電效應、熱電效應。與傳統的壓電材料相比具有頻響寬、動態范圍大、力電轉換靈敏度高、機械性能強度高、聲阻抗易匹配等特點,并具有重量輕、柔軟不脆、耐沖擊、不易受水和化學藥品的污染、易制成任意形狀及面積不等的片或管等優勢。在力學、聲學、光學、電子、測量、紅外、安全報警、醫療保健、軍事、交通、信息工程、辦公自動化、海洋開發、地質勘探等技術領域應用十分廣泛。產品主要有金、銀、鋁三個品種,膜厚30—500μm,產品形狀、面積大小,可根據用戶需要確定,是制作改進壓力動態傳感器和超聲、智能探測的新型換能材料。

      性能及特點:
        PVDF壓電膜具有較高的化學穩定性、低吸濕性、高熱穩定性、高抗紫外線輻射能力、高耐沖擊、耐疲勞能力,其化學穩定性比陶瓷高10倍,在80℃以下可長期使用。PVDF壓電膜質地柔軟、重量輕,與水的聲阻抗相近,匹配狀態好,應用靈敏度高;PVDF壓電膜在厚度方向的伸縮振動的諧頻率很高,可以得到較寬的平坦響應,頻響寬度遠優于普通壓電陶瓷換能器;電容值高,可以采用低淙胱榪溝囊瞧髯韉推到郵鍘?SPAN lang=EN-US> PVDF壓電膜優點如下:
        (1)  良好的工藝性。可用現有設備進行加工;
        (2)  能制作大面積的敏感元件;
        (3)  頻帶響應寬(0~500MHz);
        (4)  聲阻抗接近于人體組織和水,所以可用于醫療診斷的敏感裝置結構中;
        (5)  具有高沖擊強度(可使用于沖擊波的傳感器中);
        (6)  耐腐蝕性(在活性介質中使用時這種性能是必需的);
        (7)  相對介電常數較低;相應較高的壓電常數值d33(約比其它壓電材料高一個數量級以上)和熱信號靈敏度(p/ε)值;
        (8)  與壓電陶瓷相比有更低的導熱性; 并能制得更薄的薄膜;
        (9)  柔軟堅韌(PVDF的柔順系數約為PzT的30倍,并且輕(比重只有PzT的1/4左右); 能制成所需的各種較復雜的形狀(錐形、穹頂形等),可使用在需要具有特殊定向的元件中。
        總的來說:PVDF壓電膜比石英、PzT等具有壓電常數大,頻響寬,機械強度好,耐沖擊,質輕,柔韌,聲阻抗易匹配,易加工成大面積,不易受水和一般化學品的污染、價格便宜等特點。它不僅在許多領域中可替代壓電陶瓷材料使用,而且還可以應用在壓電陶瓷材料不能使用的場合。因此它是一種極有發展前途的換能性高分子敏感材料。

      PVDF壓電膜品種技術規格:

      1、感觀要求:

      項  目

      指         標

      色澤

      有金屬光澤,基本一致

      包泡、穿孔

      不允許

      劃痕、皺紋

      不允許有明顯劃痕及皺紋(劃痕及皺紋程度見標樣)

      斑點

      距膜面300mm目測,無肉眼可見斑點

       

      2、規格要求:

      項     目

      規  格

      允許公差

      長     度

      ≤270

      0~15%

      寬   度

      ≤200

      0~15%

      厚     度

      ≥0.020≤0.050

      ±5%

      ≥0.050≤0.100

      ±5%

      ≥0.100≤0.200

      ±5%

      ≥0.200≤0.500

      ±3.5%

      注:長度、寬度可根據用戶要求調整。

      PVDF壓電膜主要技術性能指標:

      項     目

      指     標

      壓電常數d33

      18—32    PC/N

      對介電常數ε/ε0

      9—13   (IKHZ)

      聲速с

      2000     m/s

      機電耦合系數к33

      10—14     %

      體積電阻率p

      1013    Ω.cm

      熱釋電系數p

      40    c/cm2.k

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