江蘇實為半導體科技有限公司

江蘇實為半導體科技有限公司-上海MOCVD配套設備配件1234a3211 是國內前列的MOCVD等半導體設備的核心部件和耗材供應商。由唐山實為半導體和海外專家陳景升共同投資組建，公司注冊資金2000萬，總部在邳州，并在蘇州設有辦事處。我國的半導體制造業在近年有了長足發展，但所使用的設備還主要來自國外，如MOCVD主要從美國和德國進口。1234a3211 VeecoSomitJoshi在“用于提高功率器件性能的硅基氮化鎵MOCVD進展”的演講中表示，新興的中/高電壓應用在電力供應，替代能源以及數據中心，都需要更高的功率效率，滿足較高的工作溫度以及更小的系統規模。氮化硅在這些參數上遠遠好于硅。1234a3211 由于工藝的嚴苛要求，這些設備在使用過程中有些關鍵部件只有一定壽命，需要定期更換。同時這些部件的技術升級對于提升設備整體的性能非常有效。目前這些備件主要是從國外大量進口，價格昂貴并且技術升級緩慢，國產化替代的需求十分強烈，市場前景非常廣闊。結合我司技術團隊多年在國外從事半導體研發的經驗，通過刻苦攻關，我司填補了國內商用大功率MOCVD加熱器的空白，受到客戶的高度肯定。-上海MOCVD配套設備配件1234a3211為了安全，一般的MOCVD系統還備有高純從旁路系統，在斷電或其它原因引起的不能正常工作時，通入純N2保護生長的片子或系統內的清潔。在停止生長期間也有常通高純N2保護系統。1234a3211 反應氣體經反應室后大部分熱分解，但還有部分尚未完全分解，因此尾氣不能直接排放到大氣中，必須先進行處理，處理方法主要有高溫熱解爐再一次熱分解，再用硅油處理也可以把尾氣直接通入裝有H2SO4+H2O及裝有NaOH溶液的吸濾瓶處理也有的把尾氣通入固體吸附劑中吸附處理，以及用水淋洗尾氣等。1234a3211 通常MOCVD系統中的晶體生長都是在常壓或低壓(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不銹鋼)反應室中進行，襯底溫度為500-1200℃，用射頻感應加熱石墨基座(襯底基片在石墨基座上方)，H2通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區。1234a3211 【云端系統代發】-上海MOCVD配套設備配件