廈門季旭貿易有限公司

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銷售部洪先生：18965131356（微信同號）固話：0592-5072236QQ：1665532815

無損檢測就是在不損傷和不破壞材料、制品或構件的情況下，就能檢測出它們內部的情況，判別內部有無缺陷。現代無損檢測的方法很多，例如：超聲波探傷法、渦流探傷法、熒光探傷法及射線檢測法等。射線檢測法即可檢查工件表面又可檢查工件內部的缺陷。設備可以采用放射性同位素Co60產生的γ射線、X光機產生的低能X射線和電子加速器產生的高能X射線。尤其是探傷加速器的穿透本領和靈敏度高，作為一種最終檢查手段或其它探傷方法的驗證手段及在質量控制中，在大型鑄鍛焊件、大型壓力容器、反應堆壓力殼、火箭的固體燃料等工件的缺陷檢驗中得到廣泛的應用。這種探傷加速器以電子直線加速器為主要機型。




超大規模集成電路是指集成度（每塊芯片所包含的元器件數）大于10的集成電路。集成電路一般是在一塊厚0.2～0.5mm、面積約為0.5mm的P型硅片上通過平面工藝制做成的。這種硅片（稱為集成電路的基片）上可以做出包含為十個（或更多）二極管、電阻、電容和連接導線的電路


與分立元器件相比，集成電路元器件有以下特點：


1.單個元器件的精度不高，受溫度影響也較大，但在同一硅片上用相同工藝制造出來的元器件性能比較一致，對稱性好，相鄰元器件的溫度差別小，因而同一類元器件溫度特性也基本一致；


2.集成電阻及電容的數值范圍窄，數值較大的電阻、電容占用硅片面積大。集成電阻一般在幾十Ω～幾十kΩ范圍內，電容一般為幾十pF。電感目前不能集成；


3.元器件性能參數的絕對誤差比較大，而同類元器件性能參數之比值比較精確；


4.縱向NPN管β值較大，占用硅片面積小，容易制造。而橫向PNP管的β值很小，但其PN結的耐壓高。


它的設計特點：


由于制造工藝及元器件的特點，模擬集成電路在電路設計思想上與分立元器件電路相比有很大的不同。


1.在所用元器件方面，盡可能地多用晶體管，少用電阻、電容；


2.在電路形式上大量選用差動放大電路與各種恒流源電路，級間耦合采用直接耦合方式；


3.盡可能地利用參數補償原理把對單個元器件的高精度要求轉化為對兩個器件有相同參數誤差的要求；盡量選擇特性只受電阻或其它參數比值影響的電路“超大規模集成電路設計專項的實施和順利進展，為我國在2010年由世界第二大集成電路消費國走向集成電路設計大國奠定堅實的基礎。”這是在最近的一次會議上國家“十五”863超大規模集成電路設計專項負責人說過的一句話。

對集成電路的作用，行內有四句話形容的非常好，說是：電子信息產品和國防電子裝備的核心，是信息產業核心競爭力最重要的體現，是信息技術與產業掌握發展主動權和實現跨越發展的基石，是自主發展信息產業和現代服務業并提高其附加值所必備的技術保證。


“掌握集成電路和軟件的關鍵技術并實現產業化，對我國實現以信息化帶動工業化，確保國家信息安全，具有至關重要的作用。”該負責人說。


“集成電路和軟件重大專項”是我國“十五”計劃期間的十二項重大科技專項之一。科技部在863計劃集成電路方面，共設立了超大規模集成電路設計、100nm集成電路制造裝備和集成電路配套材料三個專項，而在超大規模集成電路設計方面成果尤為顯著。
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