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利用掃描式電子顯微鏡(SEM)量測PMM
利用掃描式電子顯微鏡(SEM)量測PMMA 受EUV 光照射后
的樣品表面圖貌，并觀測到PMMA 隨著曝光劑量的相變化，其相變化表
面形貌的差異可能是因為釋氣物質無法釋出所致，此一現象為剝蝕現象
導致薄膜樣品膜厚的變異
但因物效應性質；故在EUV 區段中，涂布底部抗反射層其主
要功能是增加光阻附著www.aosvi.com 力、避免因底層下方污染擴散至光阻所產生的光
阻毒化現象、增進平坦化之輔助成像功能，故在EUV 微影光阻底下輔助
成像的材料又稱為底層材料(UL， Underlayer material)