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1．閾值電流。當注入p-n結的電流較低時，只有自發輻射產生，隨電流值的增大增益也增大，達閾值電流時，p-n結產生激光。影響閾值的幾個因素：（1）晶體的摻雜濃度越大，閾值越小。 
（2）諧振腔的損耗小，如增大反射率，閾值就低。 
（3）與半導體材料結型有關，異質結閾值電流比同質結低得多。目前，室溫下同質結的閾值電流大于30000A/cm2；單異質結約為8000A/cm2；雙異質結約為1600A/cm2。現在已用雙異質結制成在室溫下能連續輸出幾十毫瓦的半導體激光器。 
（4）溫度愈高，閾值越高。100K以上，閾值隨T的三次方增加。因此，半導體激光器最好在低溫和室溫下工作。
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