LED|汽車轉(zhuǎn)向控制板|專用貼片高壓電容1210 X7R 35V 226K

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陶瓷積層貼片電容優(yōu)勢與特性：

1．可以用做出小體積大容量的產(chǎn)品。

2。有助于提高生產(chǎn)效率，可以自動化生產(chǎn)。

3.使用貴金屬生產(chǎn)，高穩(wěn)定性，耐高溫，可靠性好，壽命長。

4.可以替代CBB，鋁電解，使電子產(chǎn)品小型化，節(jié)省空間。產(chǎn)品更美觀，性能更優(yōu)越。

5。陶瓷電ESR小，可以用在部分高頻電路，產(chǎn)品工作效率更高。

高壓貼片電容的特性：

1.利用貼片陶瓷電容器介質(zhì)層的薄層化和多層疊層技術(shù)，使電容值大為擴(kuò)大
2.單片結(jié)構(gòu)保證有極佳的機(jī)械性強(qiáng)度及可靠性
3.極高的精確度，在進(jìn)行自動裝配時有高度的準(zhǔn)確性
4.因僅有陶瓷和金屬構(gòu)成，故即便在高溫，低溫環(huán)境下亦無漸衰的現(xiàn)象出現(xiàn)，具有較強(qiáng)可靠性與穩(wěn)定性
5.低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設(shè)計
6.殘留誘導(dǎo)系數(shù)小，確保上佳的頻率特性
7.因電解電容器領(lǐng)域也獲得了電容，故使用壽命延長，更造于具有高可靠性的電源
8.由于ESR低，頻率特性良好，故最適合于高頻，高密度類型的電源

高壓貼片電容廣泛用于:高頻無極燈電源， LED恒流驅(qū)動電源，汽車HID燈(安定器)，模塊電源、LED阻容降壓，、ASDL語音分離器、RJ45以太網(wǎng)接口、數(shù)碼相機(jī)的閃光燈、LED圣誕燈，節(jié)能燈等以及各類電子產(chǎn)品中.

主要用于電源濾波，電源降壓，倍壓，吸收浪涌保護(hù)IC，  基本工作原理就是充電放電，當(dāng)然還有整流、振蕩以及其它的作用等作用。應(yīng)用于電源電路，實現(xiàn)旁路、去藕、濾波和儲能

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　　高壓貼片電容
　　高壓貼片電容又名陶瓷多層片式電容器，是一種用陶瓷粉生產(chǎn)技術(shù)，內(nèi)部為
　　
　　貴金屬鈀金，用高溫?zé)Y(jié)法將銀鍍在陶瓷上作
　　為電極制成。產(chǎn)品分為高頻瓷介NPO（COG）和低頻瓷介X7R兩種材質(zhì)。NPO具有小
　　
　　的封裝體積，高耐溫度系數(shù)的電容，高頻性
　　能好，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為電路濾波電容。X7R瓷介電容器限于在工作
　　
　　普通頻率的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定
　　性和損耗要求不高的場合，這種電容器不宜使用在交流（AC）脈沖電路中，因為
　　
　　它們易于被脈沖電壓擊穿，所以不建義使用在
　　交流電路中。
　　
　　高壓貼片電容分三類：
　　一類為溫度補償型NPO介質(zhì)
　　NP0又名COG電氣性能最穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時間的改變，屬超穩(wěn)定型
　　
　　、低損耗電容材料類型，適用在對穩(wěn)定性
　　、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。
　　二類為高介電常數(shù)型X7R介質(zhì)
　　X7R是一種強(qiáng)電介質(zhì)，因而能制造出容量比NPO介質(zhì)更大的電容器。這種電容
　　
　　器性能較穩(wěn)定，隨溫度、電壓時間的改變，
　　其特有的性能變化并不顯著，屬穩(wěn)定電容材料類型，使用在隔直、耦合、傍路、
　　
　　濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。
　　三類為半導(dǎo)體型X5R介質(zhì)
　　X5R具有較高的介電常數(shù)，常用于生產(chǎn)比容較大、標(biāo)稱容量較高的大容量電
　　
　　容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性較X7R，容量、
　　損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感，主要用在電子整機(jī)中的振蕩、耦合、濾波
　　
　　及傍路電路中。
　　
　　優(yōu)點：封裝體積小，質(zhì)量穩(wěn)定，絕緣性能高，耐高壓缺點：容量較小，目前
　　
　　最大100UF，易于被脈沖電壓擊穿。
　　
　　性能參數(shù)：
　　1.材質(zhì)NPO（COG）。X7R.X5R.Y5V
　　2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF
　　3.電壓6.3V-100V-1KV-2KV-5KV
　　4.封裝0201-0805-1206-1812-2225
　　溫度特性:NPO:≤±30ppm/℃，-55～125℃(EIA:ClassI)

X7R:≤±15%，-55～125℃(EIA:ClassII)

容量范圍:NPO:2pFto100nF X7R:150pFto2.2uF

損失角正切(tan):NPO:Q≥1000 X7R:D.F.≤2.5%

絕緣電阻:10GΩ或500/CΩ取兩者最小值