用于３－１２英寸的單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體的線切割。是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)、半導體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)的工程性加工材料。 碳化硅的主要分析檢測方法： 碳化硅中硅的含量決定碳化硅的硬度。　碳化硅的粒徑大小對線切割影響很大，　但最重要的是碳化硅的顆粒形狀。因為線切割時碳化硅為游離狀態(tài)切割　顆粒的形狀變化對切割效率及切割質(zhì)量要重要影響。 檢測辦法：硅的含量需要原子吸收檢測（檢測效率高，數(shù)值較精確）。 化硅粒徑需要電阻法顆粒分析儀（效率高）。 碳化硅粒型檢測需要瑞思ＲＡ２００顆粒分析儀．（可以分析顆粒形狀系數(shù)　圓度　較準確）