電子束光刻系統(tǒng)EBL(E-BeamLithography)
電子束直寫系統(tǒng)、電子束曝光系統(tǒng)
CABL-9000Cseries
30kV、50kV、90kV、110kV、130kV
2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸

納米光刻技術(shù)在微納電子器件制作中起著關(guān)鍵作用，而電子束光刻在納米光刻技術(shù)制作中是最好的方法之一。日本CRESTEC公司為21世紀(jì)先進納米科技提供尖端的電子束納米光刻（EBL）系統(tǒng)，或稱電子束直寫（EBD）、電子束爆光系統(tǒng)。

型號包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小線寬可達8nm，最小束斑直徑2nm，欣源科技（北京）有限公司，欣源科技（北京），套刻精度20nm(mean2σ)，拼接精度20nm(mean2σ)。
技術(shù)參數(shù)：
1.最小線寬：小于10nm（可實現(xiàn)8nm)
2.加速電壓：5-50kV
3.電子束直徑：小于2nm
4.套刻精度：20nm(mean2σ)
5.拼接精度：20nm(mean2σ)
6.加工晶圓尺寸：4-8英寸(standard)，.欣源科技（北京）|||E-BeamLithography電子束光刻系統(tǒng)
，12英寸(option)
7.描電鏡分辨率：小于2nm

主要特點：
1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的TFE電子槍
2.出色的電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù)
3.采用場尺寸調(diào)制技灬術(shù)，電子束定位分辨率（addresssize)可達0.0012nm
4.采用軸對稱圖形書寫技術(shù)，圖形偏角分辨率可達0.01mrad
5.應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，如微納器件加工，Si/GaAs兼容工藝，研究用掩膜忄制造，納米加工（例如單電子器件、量子器件制作等），高頻電子器件中的混合光刻（Mix&Match），圖形線寬和圖形位移測量等。
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超高分辨率電子束光刻EBL
UltrahighResolutionEBLithography(CABL-UHseries)

納米光刻技術(shù)在微納電子器件制作中起著關(guān)鍵作用，而電子束光刻在納米光刻技術(shù)制作中是最好的方法之一。日本CRESTEC公司為21世紀(jì)先進納米科技提供尖端的電子束納米光刻（EBL）系統(tǒng)，或稱電子束直寫（EBD）、電子束爆光系統(tǒng)。

超高分辨率的電子束光刻CABL-UH系列的型號包括：
CABL-UH90(90keV)、CABL-UH110(110keV)、CABL-UH130(130keV)

技術(shù)參數(shù)：
加速電壓：最高130keV
單段加速能力達到130keV，.欣源科技（北京）|||E-BeamLithography電子束光刻系統(tǒng)
，盡量減少電子槍的長度
超短電子槍長度，無微放電
電子束直徑＜1.6nm
最小線寬＜7nm
雙熱控制，實現(xiàn)超穩(wěn)定直寫能力
欣源科技SYNERCE獨家代理日本CRESTEC公司的電子束光刻系統(tǒng)，又稱作電子束曝光、電子束直寫、EBL、E-BeamLithography等。
包括30kV、50kV、90kV、110kV、130kV
2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸
如有任何需求和相關(guān)問題，敬請電話或郵件垂詢。

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