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光刻機/紫外曝光機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.
一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、等工序
Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；
在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時“復制”到硅片上的過程。

分類
光刻機一般根據(jù)操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動
A 手動：指的是對準的調(diào)節(jié)方式，是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；
B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據(jù)CCD的進行定位調(diào)諧；
C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循環(huán)都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要，恩科優(yōu)的NXQ8000系列可以一個小時處理幾百片wafer。

性能指標
光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產(chǎn)效率等。
分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。
光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。
對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。
曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。
曝光光源波長為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準分子激光器等。

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