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場效應管。采用絕緣柵結構的晶體三極管，輸入阻抗高，輸出呈電阻態。現在用途廣泛，包括電視機高頻頭（高頻，小電流）到開關電源（高壓大電流），現在把MOS和雙極型（普通三極管）復合在一起（IGBT，絕緣柵雙
SI2300是二三級管的一種，屬于場效應管。
2主要參數

晶體管類型 ： P溝道MOSFET

最大功耗PD ： 1.25W

柵極門限電壓VGS ： 2.5V（典型值）

漏源電壓VDS ：－20V（極限值）

漏極電流ID：TA=25°時：-2.3A，TA=70°時：-1.5A

通態電阻RD
MOS集成電路：
采用場效應管的集成電路，可有和TTL相同的邏輯功能，代表的有4000系列，現在很多CPU已經采用MOS電路。具有功耗低的特點。
為提高TTL電路性能，74HC系列就用MOS技術，大大
場效應管的作用
      1、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
      2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
      3、場效應管可以用作可變電阻。
      4、場效應管可以方便地用作恒