GTPC-50D半導體激光器（半導體激光模塊）
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半導體激光器內部結構及原理
      半導體激光器的工作物質有砷化鉀（gaas），砷化銦（inas），銻化銦（insn），鋁化鎵（gaalas）等，輸出波長大都在可見光的長波到近紅外之間，醫(yī)用最短的有650nm（常用作瞄準光），常見的波長有810nm，980nm等，不同種類的半導體激光器輸出功率差別較大：雙異質結條形激光器連續(xù)輸出功率為數(shù)百毫瓦，脈沖輸出可達幾十瓦；激光列陣器件連續(xù)輸出功率可達百瓦級，脈沖輸出達千瓦級；可調諧激光器連續(xù)輸出功率為零點幾毫瓦，脈沖峰值功率可達幾十瓦。
  較常用的810nm半導體激光器功率為0.5~25~60w，治療模式為0.1~9.9s單脈沖、重復脈沖及連續(xù)輸出，采用400、600、1000nm接觸式及非接觸式光纖和探頭傳輸，汽化效果較1064nm快三倍，同時兼具良好的止血效果，術中術后出血少，術中光束對神經和組織沒有電刺激，產生煙霧少，病人損失少，出血少，疼痛輕，愈合快，并發(fā)癥少，住院時間短，另外配以多種內徑的光纖可方便與任何一種內窺鏡匹配，在開放手術中也可靈活應用。 

      半導體激光器電光轉換率高（30%），沒有多余的熱量產生，從而避免了傳統(tǒng)燈泵浦激光和氣體激光器所需的龐大水冷系統(tǒng)，因此體積精巧，重量輕。同時，它也沒有傳統(tǒng)激光的閃光燈、晶體棒等高壓、高熱易損元件，因而壽命較長，一般半導體芯片的壽命可達100萬小時，具有操作方便，機動靈活，耗電少，效率高等優(yōu)點。 

      由于半導體激光器的諧振腔短，所以產生激光的方向性較差，發(fā)散角較大。此外，因其能極復雜，所以產生激光的譜線較寬，單色性較差。
   
                            半導體激光電源                                                                              GTPC-50D半導體激光器
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